納米武林基本功屋漏偏逢夜漏電np well, STI, PTS, SSD, BDI

The key steps of the STI process involve etching a pattern of trenches in the silicon, depositing one or more dielectric materials (such as silicon dioxide) to ...

無金屬，是電晶體(transistor)製程。 1. STI. Sideshare English version; Shallow Trench Isolation; 其shallow是相對LOCOS來說; 為元件(nFET/pFET)之間 ...

... 隔離(Shallow Trench Isolation 或. STI)製程取代傳統LOCOS 方式，以滿足高積成密度的要求。 1.2 研究動機與目的. 圖1-1 為CMOS製程結構，製程線寬愈做愈小其元件的隔離區也.

Shallow Trench Isolation (STI) techniques are essential for semiconductor device for reducing electrical interferences between devices of sub-micro and sub 100- ...

STI = Shallow Trench Isolation 顧名思義就是在CMOS上挖一條溝渠來做隔離，那是隔離 ... 製程下，STI的作法就可以解決中間的depletion region ...

【先前技術】. 在目前半導體製程中,一般採用區域氧化法(localized oxidation isolation, LOCOS)或是淺溝隔離(shallow trench isolation, STI)方法來. 進行元件之間的隔離 ...

一種淺溝槽隔離結構的製造方法，包括：提供一半導體基材，包括一第一多晶矽層與一蝕刻停止層，該第一多晶矽層具有一第一導電型，該蝕刻停止層位於該第一多晶矽層之上；蝕刻該半導體基材以形成一淺溝槽；形成一填充氧化層於該淺溝槽中，全部之該填充氧化層係低於該蝕刻停止層；形成一第二多晶矽層覆蓋該淺溝槽、該填充氧化層及該蝕刻停止層，該第 ...

本研究探討場發射金屬氧化半導電晶體（MOSFET）淺溝槽隔離絕緣層（Shallow Trench Isolation，STI）與鄰近電晶體主動區的高度差（Step-height）對元件特性的影響。

渠隔離技術(Shallow Trench Isolation,. STI)比起先前區域性矽表面氧化隔離技. 術(LOCal Oxidation of Silicon, LOCOS). 擁有多項的製程及電性隔離優點，促. 使其成為0.25 ...

淺溝渠隔離技術(Shallow Trench Isolation, STI)為先進IC奈米晶片製程中的關鍵技術。以化學機械研磨技術進行溝渠隔離氧化矽之回蝕面臨相當嚴苛的製程 ...